文/北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 柳虹

　　摘要：在確定半導體領(lǐng)域的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題時(shí)，應該從本領(lǐng)域技術(shù)人員的解決問(wèn)題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1的基礎上能夠得到的技術(shù)問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于技術(shù)場(chǎng)景實(shí)際會(huì )面臨的技術(shù)問(wèn)題，而不是利用本發(fā)明的區別特征反推出的技術(shù)問(wèn)題。

　　在對發(fā)明專(zhuān)利的創(chuàng )造性評述中，需要評價(jià)該發(fā)明相對于現有技術(shù)是否顯而易見(jiàn)?！秾?zhuān)利審查指南》中規定，判斷要求保護的發(fā)明相對于現有技術(shù)是否顯而易見(jiàn)，通?？砂凑找韵?strong>三個(gè)步驟進(jìn)行：確定最接近的現有技術(shù)、確定發(fā)明的區別特征和發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題、判斷要求保護的發(fā)明對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是否顯而易見(jiàn)。

　　其中，發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題，是根據審查員所認定的最接近的現有技術(shù)重新確定發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題，是指為獲得更好的技術(shù)效果而需對最接近的現有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)的技術(shù)任務(wù)。

　　判斷要求保護的發(fā)明對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是否顯而易見(jiàn)，實(shí)際上要確定的是現有技術(shù)整體上是否存在某種技術(shù)啟示，即現有技術(shù)中是否給出將上述區別特征應用到該最接近的現有技術(shù)以解決其存在的技術(shù)問(wèn)題的啟示，這種啟示會(huì )使本領(lǐng)域的技術(shù)人員在面對所述技術(shù)問(wèn)題時(shí)，有動(dòng)機改進(jìn)該最接近的現有技術(shù)并獲得要求保護的發(fā)明。

　　現有技術(shù)整體上能夠提供技術(shù)啟示的其中一種情況是，本申請相對于最接近的現有技術(shù)的區別特征為另一份對比文件中披露的相關(guān)技術(shù)手段，該技術(shù)手段在該對比文件中所起的作用與該區別特征在要求保護的發(fā)明中為解決該重新確定的技術(shù)問(wèn)題所起的作用相同。

　　也就是說(shuō)，審查創(chuàng )造性時(shí)，可以將多份現有技術(shù)中的不同的技術(shù)內容組合在一起對要求保護的發(fā)明進(jìn)行評價(jià)，多份現有技術(shù)的結合需要以本領(lǐng)域技術(shù)人員面對特定問(wèn)題有動(dòng)機去改進(jìn)最接近的現有技術(shù)為基礎。在半導體領(lǐng)域，經(jīng)常會(huì )遇到要求保護的發(fā)明中利用“簡(jiǎn)單”的技術(shù)手段去接近“困難”的技術(shù)問(wèn)題的案例，而這種“簡(jiǎn)單”的技術(shù)手段往往是本領(lǐng)域常規的技術(shù)手段，這些技術(shù)手段是否容易與最接近的現有技術(shù)結合得到要求保護的發(fā)明的技術(shù)方案，是值得考究的。

　　筆者認為，在確定半導體領(lǐng)域的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題時(shí)，應該從本領(lǐng)域技術(shù)人員的解決問(wèn)題的正常思路出發(fā)，考慮的是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1的基礎上能夠得到的技術(shù)問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于技術(shù)場(chǎng)景實(shí)際會(huì )面臨的技術(shù)問(wèn)題，而不是利用本發(fā)明的區別特征所推導出的技術(shù)問(wèn)題。

　　下面結合具體案例進(jìn)行詳細說(shuō)明。

　　?案例：

　　要求保護的發(fā)明的技術(shù)方案是：在溝道孔的側壁形成第一多晶硅層，之后將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，在溝道孔中形成第二多晶硅層。其中，惰性氣體或氮氣環(huán)境由晶圓盒提供。

　　對比文件1作為最接近的現有技術(shù)，公開(kāi)的是：在溝道孔中形成材料為多晶硅的第一半導體溝道層，以及材料為多晶硅的第二半導體溝道層。即，公開(kāi)了在溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層。

　　要求保護的發(fā)明相比于對比文件1的區別特征為：形成第一多晶硅層后，形成第二多晶硅層前，將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，惰性氣體或氮氣環(huán)境由晶圓盒提供。審查員認為，要求保護的發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題為：如何有效抑制在進(jìn)行第二多晶硅層生長(cháng)前的等待過(guò)程中第一多晶硅層的自然氧化，減少溝道層中氧化硅的占比，降低溝道電阻，提高器件性能。

　　對比文件2公開(kāi)了一種新型硅片盒氮氣填充柜，密封的硅片盒內外均以氮氣氛填充，以將硅片盒內部的濕度及氧含量降低到極低的水平，消除因水汽和氧氣對硅片表面造成的影響。

　　這樣，對比文件1公開(kāi)了形成溝道孔中形成第一多晶硅層和第二多晶硅層，對比文件2公開(kāi)了硅片盒可以填充氮氣，以降低濕度和氧含量，從技術(shù)特征表面上來(lái)看，對比文件1和對比文件2似乎公開(kāi)了“形成第一多晶硅層”、“形成第二多晶硅層”、“提供氮氣環(huán)境”這些特征，幾乎涵蓋了要求保護的發(fā)明的各個(gè)技術(shù)特征，這種結合“看上去”沒(méi)有問(wèn)題，結合之后似乎也能得到要求保護的發(fā)明的技術(shù)方案。

　　然而，仔細研究后就會(huì )發(fā)現，前述的技術(shù)問(wèn)題實(shí)際上是在要求保護的發(fā)明技術(shù)特征的基礎上反推出來(lái)的，而不是本領(lǐng)域技術(shù)人員在已知對比文件1的基礎上實(shí)際面臨的，而這兩個(gè)問(wèn)題之間的差異被審查員忽視了，從而使對比文件1和對比文件2之間的結合變成技術(shù)特征的堆砌，而不是真正的“提供技術(shù)啟示”。

　　在要求保護的發(fā)明中，在形成第一多晶硅層之后，形成第二多晶硅層之前，可以將形成有第一多晶硅層的襯底置于惰性氣體或氮氣環(huán)境中，本領(lǐng)域技術(shù)人員確實(shí)能夠得到這樣可以使第一多晶硅層置于低水低氧的環(huán)境中，防止氧化成為氧化硅的技術(shù)效果。這是能夠從技術(shù)手段推導技術(shù)效果的過(guò)程，也很輕易得到要求保護的發(fā)明實(shí)際要解決的技術(shù)問(wèn)題就是防止溝道層氧化成為氧化硅，但是這個(gè)技術(shù)問(wèn)題是否就是本領(lǐng)域技術(shù)人員面臨的技術(shù)問(wèn)題呢，其實(shí)是不一定的。

　　事實(shí)上，本案的發(fā)明人在器件的制造過(guò)程中所遇到的問(wèn)題是：器件性能差，之后，發(fā)現了器件性能差的原因在于溝道電阻大，然后發(fā)現了溝道電阻較大的原因為溝道層中的氧化硅的占比較高，氧化硅是絕緣材料，會(huì )導致溝道電阻較大，而溝道層中的氧化硅的占比較高的原因在于第一多晶硅在形成之后被氧化，而第一多晶硅被氧化的原因在于在形成第一多晶硅層之后存在等待的過(guò)程，等待的過(guò)程中第一多晶硅層置于高氧高水分的環(huán)境下會(huì )導致多晶硅被氧化，這才是溝道層電阻變大的根本原因。

　　很明顯，在對比文件1的基礎上，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不付出創(chuàng )造性勞動(dòng)的條件下，可能會(huì )發(fā)現器件性能差的問(wèn)題，但是不會(huì )發(fā)現更深層次的原因，即器件性能差時(shí)因為溝道層的電阻較大，電阻較大的原因是溝道層中有較高的氧化硅的占比，較高的氧化硅的占比是因為第一半導體溝道層在放置的時(shí)間段內被氧化。事實(shí)上，對比文件1也沒(méi)有提及在第一半導體溝道層形成后需要等待，在不需要等待的情況下自然不會(huì )產(chǎn)生對第一半導體溝道層的氧化。

　　因此，器件性能差才是本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì )面臨的技術(shù)問(wèn)題，換句話(huà)說(shuō)，從器件的性能較差，到發(fā)現溝道電阻較大，再到發(fā)現溝道層中的氧化硅的占比較高，再到第一多晶硅層被氧化的根本原因，是發(fā)明人發(fā)現問(wèn)題以及尋求問(wèn)題存在的根源的過(guò)程，而本領(lǐng)域技術(shù)人員在付出創(chuàng )造性勞動(dòng)的基礎上，在面臨器件性能差的問(wèn)題時(shí)是否會(huì )去尋求防止溝道層氧化的方式，答案自然是否定的。

　　綜上所述，審查員認為的技術(shù)問(wèn)題是在看到要求保護的發(fā)明的技術(shù)方案之后，是利用要求保護的發(fā)明的區別技術(shù)特征反推出來(lái)的，而不是本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1的基礎上客觀(guān)會(huì )面臨的技術(shù)問(wèn)題。實(shí)際上，在將要求保護的發(fā)明的實(shí)際要解決的技術(shù)問(wèn)題定義為“如何提高器件的性能”之后，我們會(huì )發(fā)現，對比文件1和對比文件2的結合存在邏輯斷層，即對比文件1中實(shí)際存在的技術(shù)問(wèn)題和對比文件2實(shí)際能夠解決的問(wèn)題不匹配。

　　因此，審查員指出的這種結合僅僅實(shí)現了技術(shù)特征的堆砌，本領(lǐng)域技術(shù)人員甚至并不知曉為什么要將二者結合，這并不符合本領(lǐng)域技術(shù)人員在研究過(guò)程中的解決問(wèn)題的思路，這種結合也不應該是創(chuàng )造性評價(jià)中的“有動(dòng)機”的“結合”，而真正從對比文件1實(shí)際存在的技術(shù)問(wèn)題出發(fā)時(shí)，對比文件1和對比文件2是沒(méi)有結合動(dòng)機的。因此，從最接近的現有技術(shù)出發(fā)，確定準確的技術(shù)問(wèn)題，是審查員和代理人在實(shí)審階段需要特別注意的。

　　以上是筆者在進(jìn)行審通答復的過(guò)程中的總結思考，其中若有不妥之處，還請讀者批評指教。