為了鼓勵半導體制造領(lǐng)域的研究、開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新，美國專(zhuān)利商標局（USPTO）宣布了一項新的半導體技術(shù)試點(diǎn)計劃，該計劃于2023年12月1日開(kāi)始接受申請，并持續至2024年12月2日。

　　根據美國專(zhuān)利商標局公布的信息，半導體技術(shù)試點(diǎn)計劃“通過(guò)加快對增加半導體設備產(chǎn)量、降低半導體制造成本和加強半導體供應鏈的創(chuàng )新專(zhuān)利申請的審查”來(lái)支持《2022芯片法案》（CHIPS）。

　　半導體技術(shù)試點(diǎn)計劃將加快對包含至少一項權利要求的專(zhuān)利申請的審查，該權利要求需要涵蓋用于制造半導體器件制造中使用的工藝或設備，且需要對應CPC分類(lèi)中的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)概念，即H10（半導體設備；未另行規定的電氣固態(tài)器件）或H01L（不屬于 H10 類(lèi)的半導體器件），并滿(mǎn)足其他相關(guān)要求。