駱蘇華
北京集佳律師事務(wù)所上海分所
摘要:通過(guò)對現階段國內外企業(yè)在中國的專(zhuān)利申請量以及集成電路布圖設計登記量的對比,詳細分析了國內外企業(yè)對待其技術(shù)成果的保護的不同考慮角度,為企業(yè)開(kāi)展相關(guān)工作提供指導。
關(guān)鍵詞:半導體,發(fā)明專(zhuān)利,實(shí)用新型專(zhuān)利,集成電路布圖設計
一.引言
半導體技術(shù)發(fā)展到今天,已逐漸分化成三大組成部分,即設計業(yè)、芯片制造業(yè)和后道封裝業(yè)。這種分化是半導體技術(shù)產(chǎn)業(yè)走向成熟的表現。法律上針對上述不同的三部分,也產(chǎn)生了多種保護手段,目前半導體技術(shù)可能涉及的知識產(chǎn)權有:專(zhuān)利權、著(zhù)作權、商業(yè)秘密、集成電路布圖設計、商標權。下面表1給出保護半導體技術(shù)知識產(chǎn)權的簡(jiǎn)要說(shuō)明。
表1保護半導體技術(shù)知識產(chǎn)權的簡(jiǎn)要說(shuō)明
知識產(chǎn)權 | 保護對象 | 備注 |
專(zhuān)利權 | 技術(shù)或者設計方案 | 高價(jià)的;費時(shí)的;最適于保護構想。 |
版權 | 原始文字著(zhù)作;軟件 | 于創(chuàng )作完成之后自動(dòng)產(chǎn)生。 |
商業(yè)秘密 | 技術(shù)信息和經(jīng)營(yíng)信息 | 需要努力保持機密性,如制定嚴格的保密合同、保密條例;無(wú)法保護通過(guò)反向工程(reverse engineering)。 |
集成電路布圖設計 | 芯片布局信息 | 需要注冊登記;不能保護電路表(netlists);商品化后需兩年內呈請備案。 |
商標權 | 商品、服務(wù)和集體、證明商標標識 | 不能保護技術(shù)。 |
從上表可以看出,對半導體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)成果通常采用專(zhuān)利權、商業(yè)秘密以及集成電路布圖設計進(jìn)行保護。而其中,商業(yè)秘密相對來(lái)說(shuō)條件要求高,發(fā)生侵權時(shí)舉證困難不經(jīng)常被采用,當然,在很多時(shí)候,由于其不會(huì )造成技術(shù)公開(kāi),很多公司采用該優(yōu)點(diǎn)保護其核心技術(shù)。為此,下面重點(diǎn)圍繞專(zhuān)利權和集成電路布圖設計保護條例對半導體技術(shù)的保護展開(kāi)。
二、國內外企業(yè)登記和申請現狀
我國于2001年3月28日,國務(wù)院第36次常務(wù)會(huì )議通過(guò)《集成電路布圖設計保護條例》,該條例從2001年10月1日起實(shí)施,至今,施行《集成電路布圖設計保護條例》已有六年多時(shí)間了。集成電路布圖設計的申請量逐年上升,圖1給出集成電路布圖設計從2001年以來(lái)的登記量的變化。截至到2008年1月16日,國家知識產(chǎn)權局已公告集成電路布圖設計專(zhuān)有權1505項,在上述登記中,國內企業(yè)(忽略個(gè)人登記)的登記占80%左右,國外企業(yè)(忽略個(gè)人登記)占20%左右,這說(shuō)明,集成電路布圖設計以國內企業(yè)登記為主,國外企業(yè)登記較少。
圖1從2001年以來(lái)集成電路布圖設計的登記量的變化
圖2 從1995年以來(lái)中國企業(yè)在中國申請的專(zhuān)利的公開(kāi)量的變化
圖3 從1995年以來(lái)外國企業(yè)在中國申請的專(zhuān)利的公開(kāi)量的變化
我國現行專(zhuān)利法于1985年4月1日起正式施行,分別于1992年和2000年進(jìn)行了兩次修改,目前正面臨第三次修改。圖2給出從1995年以來(lái)中國企業(yè)(忽略個(gè)人申請)在中國申請的專(zhuān)利的公開(kāi)量的變化,同時(shí),圖3給出從1995年以來(lái)外國企業(yè)(忽略個(gè)人申請)在中國申請的專(zhuān)利的公開(kāi)量的變化??梢钥闯?,半導體技術(shù)領(lǐng)域中外國企業(yè)在我國的專(zhuān)利申請量是中國單位或者個(gè)人在國內的專(zhuān)利申請量的三倍以上;從專(zhuān)利申請的類(lèi)型來(lái)看,外國企業(yè)在國內申請的專(zhuān)利中實(shí)用新型專(zhuān)利占總的專(zhuān)利比例很少,而國內企業(yè)在國內申請的專(zhuān)利中,實(shí)用新型專(zhuān)利占的比例稍高;同時(shí),從申請量的增長(cháng)趨勢來(lái)看,國外企業(yè)在中國的專(zhuān)利申請量的增長(cháng)明顯大于國內企業(yè)的申請量的增長(cháng)。
結合上述集成電路布圖設計登記量的統計結果,國外企業(yè)的集成電路布圖設計登記量不足國內登記量的四分之一。同時(shí)還要注意,國內的集成電路設計權利人以知名集成電路企業(yè)為主,如無(wú)錫華潤、上海貝嶺、上海中穎、上海力通、無(wú)錫日松、上海華虹、北京中星微、中電華大等公司,但這些企業(yè)的專(zhuān)利申請量大都比較少;而美國、韓國、南非等國家中的集成電路布圖設計權利人都是些不太知名的企業(yè),日本、芬蘭集成電路布圖設計權利人中盡管有部分知名企業(yè),但是其登記量都不多而國外大多數知名企業(yè)在我國申請了大量專(zhuān)利。
三、現狀分析及結論
國內外企業(yè)在中國的集成電路布圖設計登記量與專(zhuān)利申請量的差別除了由于國內企業(yè)的創(chuàng )新能力較差導致之外,還具有以下原因:
對于國內企業(yè)來(lái)說(shuō),集成電路布圖設計登記具有審查周期短、審查程序簡(jiǎn)便、費用相對較低等優(yōu)勢,其取得保護的便利程度大大超過(guò)專(zhuān)利保護,所以成本是國內企業(yè)考慮的主要因素。同時(shí),國內企業(yè)對于專(zhuān)利法和集成電路布圖設計保護條例的客體存在認識誤區也是一個(gè)重要原因。
國內企業(yè)往往認為集成電路布圖設計保護條例與專(zhuān)利法的保護客體完全不同,前者保護布圖(lay-out),后者保護結構或者方法,二者風(fēng)馬牛不相及,因而認為自己設計出來(lái)的版圖與產(chǎn)品或者方法無(wú)關(guān),故采用集成電路布圖設計條例來(lái)保護。
集成電路布圖設計(以下簡(jiǎn)稱(chēng)布圖設計),是指集成電路中至少有一個(gè)是有源元件的兩個(gè)以上元件和部分或者全部互連線(xiàn)路的三維配置,或者為制造集成電路而準備的上述三維配置,其保護范圍可以延伸至具有該布局的半導體芯片。因此,集成電路布圖設計涉及的是半導體芯片的布局,半導體芯片的布局若含有原始電路設計就可得到保護。
我國的專(zhuān)利是指發(fā)明、實(shí)用新型和外觀(guān)設計,專(zhuān)利法所稱(chēng)發(fā)明,是指對產(chǎn)品、方法或者其改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案。專(zhuān)利法所稱(chēng)實(shí)用新型,是指對產(chǎn)品的形狀、構造或者其結合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。專(zhuān)利法所稱(chēng)外觀(guān)設計,是指對產(chǎn)品的形狀、圖案或者其結合以及色彩與形狀、圖案的結合所作出的富有美感并適于工業(yè)應用的新設計。由于外觀(guān)設計保護的主體是工業(yè)品外觀(guān),不太適于集成電路布圖設計,因此本文的專(zhuān)利僅指發(fā)明或者實(shí)用新型。
因此專(zhuān)利權一般用于保護“概念”。例如,以前無(wú)先例的方法、程序、構造或系統對上述的改進(jìn)提出聲明及主張。從這個(gè)角度來(lái)說(shuō),專(zhuān)利權保護的范圍比集成電路布圖設計延伸的范圍要廣,布圖設計中保護的是提交的布局圖上能夠看到的各個(gè)圖層,類(lèi)似于外觀(guān)設計;而發(fā)明和實(shí)用新型專(zhuān)利權保護的是該專(zhuān)利中記載的技術(shù)方案,還可以保護其技術(shù)思想。
實(shí)際上,當布圖落實(shí)到實(shí)際工藝中就成為專(zhuān)利中的產(chǎn)品或者方法,因此可以說(shuō),采用集成電路布圖設計保護還是采用專(zhuān)利法來(lái)保護,并不應該從企業(yè)做什么而申請,而應該從企業(yè)設計出來(lái)的產(chǎn)品是從哪個(gè)角度進(jìn)行保護而申請。所以說(shuō),集成電路布圖設計保護條例與專(zhuān)利法并不矛盾,而是相輔相成。
通常還會(huì )有下列的觀(guān)點(diǎn):在集成電路設計中,尤其是設計一些規模較大的電路時(shí),常將一些已為人所熟知的單元電路加以組合,這種拼揍而成的集成電路大多難以滿(mǎn)足專(zhuān)利法的創(chuàng )造性要求,故而選擇集成電路布圖設計保護模式進(jìn)行保護。這個(gè)觀(guān)點(diǎn)也是有失偏頗的!
半導體工藝和設計的過(guò)程分不開(kāi),電路設計必須基于一定的工藝進(jìn)行設計,比如設計一種功率放大器電路,當采用0.25微米的工藝與采用0.09微米的工藝時(shí),設計的電路即使相同,但是由于器件的尺寸不同,功能就不同,導致其版圖(lay-out)和制造的產(chǎn)品必然不同。但是這個(gè)不同是否簡(jiǎn)單的尺寸的縮放?在進(jìn)行版圖設計和制造過(guò)程中,需要克服很多的技術(shù)困難,其實(shí)電路能夠設計出來(lái)但是無(wú)法制造出來(lái)的情況很多。因此,雖然布圖設計的確存在簡(jiǎn)單拼揍的情況,而不能滿(mǎn)足專(zhuān)利法的創(chuàng )造性的要求,但是更多的情況是由于在實(shí)際設計和制造過(guò)程中,需要克服一定的技術(shù)困難,尤其是在亞微米尺寸的半導體器件中,各種附加的尺寸效應隨著(zhù)工藝的尺寸不同而不同,需要不同的處理方式來(lái)克服,因此具有實(shí)質(zhì)性的特點(diǎn),能夠滿(mǎn)足專(zhuān)利法的創(chuàng )造性的要求。
當然,退一步說(shuō),如果該企業(yè)單單從事集成電路設計,那么其可能對于制造這一塊的內容不是很熟悉,于是會(huì )去進(jìn)行集成電路布圖設計登記,但是對于那些既從事設計又從事制造的企業(yè)來(lái)說(shuō),其應該權衡要從哪個(gè)角度去保護,確定是申請專(zhuān)利進(jìn)行保護還是進(jìn)行布圖登記進(jìn)行保護,最好是二者兼顧。
下面給出一個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明集成電路布圖設計條例和專(zhuān)利保護的異同。比如一種CMOS圖像傳感器的發(fā)明,該發(fā)明通過(guò)在溝槽及摻雜區的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區及針形區以消除場(chǎng)氧化區底部和邊緣可能存在的暗電流,針形區由于沒(méi)有被場(chǎng)氧化區覆蓋,而對光具有極高的敏感度。該發(fā)明創(chuàng )造由于涉及掩膜圖形的改變,既可以通過(guò)提交該CMOS圖像傳感器的布局(layout)進(jìn)行布圖設計登記保護,還可以申請專(zhuān)利,均可實(shí)現保護。
從專(zhuān)利保護內容角度來(lái)說(shuō),可以保護含有掩埋區及針形區的CMOS圖像傳感器、含有該集成電路的物品、制作該CMOS圖像傳感器的方法(發(fā)明),而無(wú)論掩埋區及針形區如何布局包括形狀、位置等均落入保護范圍;從集成電路布圖設計條例角度來(lái)說(shuō),可以保護含有掩埋區及針形區的該CMOS圖象傳感器的布圖,以及含有該CMOS圖象傳感器電路的物品。由于集成電路布圖設計條例不延及思想、處理過(guò)程、操作方法或者數學(xué)概念等,因而當含有不同布局的掩埋區及針形區的CMOS圖象傳感器無(wú)法保護,或者說(shuō),如果含有該掩埋區及針形區的CMOS圖象傳感器電路具有不同的布局,那么需要進(jìn)行不同集成電路布圖設計的登記。因此,專(zhuān)利法的保護廣度更強。
從權利人的權利角度來(lái)看,專(zhuān)利由于保護思想,若有相關(guān)產(chǎn)品涉及侵權,還可以通過(guò)“等同原則”進(jìn)行認定,凡是涉及光電二極管的第一極的掩埋區及針形區及其變形的圖像傳感器、及制造、使用、許諾銷(xiāo)售、銷(xiāo)售、進(jìn)口該圖像傳感器或者使用其專(zhuān)利方法,均可以被認定侵權(即專(zhuān)利權中的排他性);而對于登記后的集成電路,復制受保護的布圖設計的全部或者其中任何具有獨創(chuàng )性的部分的,為商業(yè)目的進(jìn)口、銷(xiāo)售或者以其他方式提供受保護的布圖設計、含有該布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品的被認定為侵權。因此,一旦發(fā)生侵權,申請專(zhuān)利可以要求更多的被告和賠償額。
從申請兩種保護后競爭對手的反應來(lái)看,獲得專(zhuān)利權除了具有上述排他性的權利外,它也有少于被人重視到的功能,那就是預計競爭者的可能發(fā)展方向和產(chǎn)品,而申請有針對性的專(zhuān)利來(lái)達成阻礙競爭者的手段。在這樣的運用方式下,可以說(shuō)專(zhuān)利權的可塑性比其它的知識產(chǎn)權高。專(zhuān)利權不但可用于保護自己的知識產(chǎn)權觀(guān)念(用于防守),也可用于阻礙(用于攻擊)競爭者的新產(chǎn)品或發(fā)展。
國外企業(yè)在考慮以哪種方式進(jìn)行保護的時(shí)候,重專(zhuān)利輕集成電路布圖設計保護的深層次原因,也正是可能在于上述的對兩種權利的價(jià)值和保護效果的不同理解。
因此,從企業(yè)的專(zhuān)利布局來(lái)說(shuō),當該技術(shù)方案既可以采用專(zhuān)利法保護又可以采用集成電路保護條例進(jìn)行保護的時(shí)候,如果資金面允許,兩者均申請,可以多角度的進(jìn)行保護;若資金面不允許,但是該發(fā)明創(chuàng )造又很重要的話(huà),建議申請專(zhuān)利進(jìn)行保護。雖然在取得專(zhuān)利權前的籌備與執行中,需要投注實(shí)質(zhì)上的時(shí)間與金錢(qián),包含交付政府專(zhuān)利機構及專(zhuān)利律師的費用等,但是在將來(lái)專(zhuān)利的潛力無(wú)法預估,即使是一些并不太重要的專(zhuān)利,還可以通過(guò)公開(kāi)而防止由于成為競爭對手的專(zhuān)利而需要付實(shí)施許可費或者受到限制。
集成電路布圖設計保護制度在我國實(shí)施的時(shí)間不長(cháng),但它是知識產(chǎn)權保護國際規則的重要組成部分,我們不能輕率地否定它的價(jià)值,但應加強研究,不僅僅是理論研究,更要強調實(shí)踐層面的調研,在充分認識和理解集成電路布圖設計保護制度的基礎上,為企業(yè)開(kāi)展相關(guān)工作提供指導。